复旦大学成功研制出新型微电子半浮栅晶体管

最新一期《科学》杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件半浮栅晶体管（SFGT）。这是我国科学家在该顶级学术期刊上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成果，SFGT的成功研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上获得更多话语权。

作为一种新型的基础器件，半浮栅晶体管可在三大领域应用，拥有巨大的潜在市场。首先，它可以取代一部分静态随机存储器（SRAM）。传统SRAM集成度较低，占用面积大，由SFGT构成的SRAM单元面积更小，密度比传统SRAM约可提高10倍，具有高密度和低功耗的优势。其次，SFGT可以应用于动态随机存储器（DRAM）领域，即广泛应用于计算机内存。SFGT构成的DRAM无需电容器便可实现传统DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，读写速度更快。此外，SFGT还可以应用于主动式图像传感器芯片（APS），感光单元密度提高，使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到提升。

目前，DRAM、SRAM和图像传感器技术的核心专利基本上被国外公司控制，中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。张卫教授说，半浮栅晶体管作为一种基础电子器件，它在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模达到300亿美元以上，它的成功研制有助于我国掌握集成电路的核心器件技术，是我国在新型微电子器件技术研发上的里程碑。

张卫教授表示，目前的半浮栅晶体管是在较大工艺技术节点上实现的，主要是为了验证器件性能，未来研究工作主要集中于器件性能的优化和进一步提升，相关应用的电路设计和关键IP技术，以及技术节点缩小带来的一系列工艺问题。